Samsung 5nm proces najavljen zajedno s detaljima od 4nm i 3nm

Dolaze manji i učinkovitiji čipovi

Iako je Intel imao problema s 10nm postupkom i već je odgađan 3 puta, Samsung je uspio doći do 7nm procesa, a sada imamo detalje u vezi sa Samsungovim 5nm postupkom. I ne samo to, već je Samsung otkrio i detalje u vezi s 4nm i 3nm postupkom. Čipovi će biti sve manji i učinkovitiji što znači manju potrošnju energije i duže trajanje baterije.

Samsung 5nm postupak ili 5nm Low Power Early bit će smanjena verzija 7nm postupka s poboljšanom potrošnjom energije. Nakon toga Samsung prelazi na 4nm Ear Power i Low Power Plus procese. Proces 4nm bit će posljednja generacija koja će imati FinFET tehnologiju.

7nm LPP prvi je poluvodički postupak koji koristi EUV litografsko rješenje i bit će spreman za masovnu proizvodnju u drugoj polovici 2018. TSMC i Globalfoundries također su najavili slične planove, a s proizvodnjom započinju 2019. godine.

3nm procesni čvorovi usvojit će GAA što je arhitektura uređaja sljedeće generacije. To je učinjeno kako bi se prevladalo fizičko skaliranje i ograničenja performansi FinFET arhitekture. Samsung razvija svoju GAA tehnologiju, MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) koja koristi nano-list uređaj. Samsung tvrdi da će se performanse 3nm čvorova značajno poboljšati.

Prema Charlieju Baeu, izvršnom potpredsjedniku i voditelju Livničke prodaje i marketinga:

'Trend pametnijeg, povezanog svijeta industriju zahtijeva više od dobavljača silicija,'

Uzbudljivo je znati da već znamo o Samsungovom 5nm procesu kao i o 4nm i 3nm procesu prije nego što 7nm uopće počne proizvoditi. To znači da je Samsung daleko napredan u budućnosti i da je sve dobro razmislio. Trebalo bi biti zanimljivo vidjeti kakve će performanse ove nadolazeće čipove imati u usporedbi s onima koje trenutno imamo na tržištu.

Imajući sve ovo na umu, Intel doista mora nadoknaditi i ubrzati svoje procese.

Javite nam što mislite o Samsung 5nm procesu i je li to nešto što vas zanima.